2026年初，全球消费电子行业正经历一场前所未有的成本冲击：三星、SK海力士将一季度NAND闪存合约价上调超100%，DRAM现货价格自2025年9月以来累计涨幅突破300%。笔记本、手机、固态硬盘集体涨价，部分16GB DDR4内存条价格翻倍至400元以上，“有钱也买不到”成为渠道商的日常抱怨。

面对这场“史诗级”涨价潮，主流叙事将其归因于AI算力爆发带来的需求激增与产能短缺。但深入产业链便会发现：所谓“供不应求”，并非绝对产能不足，而是一场由头部厂商主导的、以技术代际切换为掩护的结构性产能重配——其本质，是一次精心设计的超额利润收割。

一、产能真的不够吗？数据揭示“选择性短缺”

从宏观产能看，全球DRAM和NAND总产能并未出现断崖式下滑。根据TrendForce数据，2025年全球存储芯片产能利用率仍维持在85%以上，三星、SK海力士、美光三大厂商合计占据DRAM市场超90%份额，NAND市场超80%。他们完全具备调节供给的能力。

问题在于：产能去哪儿了？

答案清晰而残酷——流向了高利润的AI专用存储。一台AI服务器所需DRAM是普通服务器的5–8倍，HBM3e带宽突破1.2TB/s，单价高达1.6美元/Gb，毛利率超60%；而消费级DDR4内存模组毛利率已跌破10%。在利润驱动下，三大原厂纷纷将成熟制程产线转向HBM、DDR5、LPDDR5X等高端产品，甚至主动砍掉消费级业务（如美光退出英睿达品牌）。

这不是“没产能”，而是“不愿给”。正如一位业内人士所言：“不是造不出来，是造出来不划算。”所谓的“产能告罄”，实则是对低毛利市场的战略性放弃。

垄断格局下的定价权：周期波动还是人为操控？

存储芯片素有“强周期”属性，过去每2–3年经历一轮“供过于求—价格暴跌—减产—供不应求—价格暴涨”的循环。但本轮涨价呈现出明显异常：

涨幅远超历史均值：DRAM现货价一年涨300%，远超以往周期峰值；

涨价节奏高度同步：三星、SK海力士、美光几乎在同一时间窗口大幅提价，且幅度趋同；

合约价与现货价倒挂加剧：终端厂商即使签订长期合约，也难逃季度重谈加价的命运。

这种高度协同的行为，在高度集中的寡头市场中极易形成“默契合谋”。尽管没有明面串通，但在信息透明、客户重叠、利益一致的前提下，三大巨头通过“跟随式涨价”维持高价已成为心照不宣的策略。

更关键的是，HBM等高端产品的技术壁垒进一步加固了垄断护城河。HBM3E产线需EUV光刻、3D堆叠、硅中介层等尖端工艺，单条产线投资超百亿美元，中小厂商根本无法入场。这使得头部企业不仅能控制高端市场，还能通过产能调配间接操控整个存储价格体系。

AI成为“完美借口”：需求真实存在，但被用作涨价遮羞布

不可否认，AI确实带来了真实且巨大的存储需求。OpenAI“星际之门”计划每月需90万片DRAM晶圆，相当于全球产能的57%；微软、谷歌、阿里等云巨头2026年资本开支预计超4700亿美元，大量用于AI基础设施。

但问题在于：AI需求主要集中在HBM和高带宽DDR5，而非消费电子使用的DDR4或普通NAND。两者在技术、封装、客户群上几乎无重叠。理论上，厂商完全可以在保障AI供应的同时，维持消费级产能稳定。

然而现实是，原厂借“整体产能紧张”之名，将AI需求作为全品类涨价的正当化理由。消费者买的256GB手机存储、1TB固态硬盘，本不该为AI服务器的HBM买单，却被迫承受连带涨价。

这就像石油公司因航空燃油紧缺而提高家用汽油价格——逻辑上可关联，本质上却是转嫁成本。

谁在承压？产业链底层成最大牺牲品

在这场涨价风暴中，三星、SK海力士财报显示运营利润率重回40%以上，HBM业务利润率达60%，股价屡创新高。而下游的模组厂、整机品牌、渠道商却苦不堪言：

模组厂面临“原厂报价高于市场接受价”的倒挂困境；

手机品牌被迫悄悄缩水配置（如256GB变128GB）或集体涨价；

中小OEM因无力锁定长期合约，被挤出供应链。

更讽刺的是，最终为垄断利润埋单的，仍是普通消费者。一台原本5000元的笔记本，因内存+SSD成本上涨1000元，性能未变，体验未升，只为支付上游的“技术溢价”。

警惕“合理涨价”背后的权力失衡

存储涨价潮绝非单纯的供需失衡，而是一场在技术变革掩护下，由寡头主导的利润再分配。AI需求是真实的，但被滥用了；产能紧张是局部的，却被泛化了；市场周期是存在的，但被操纵了。

要打破这一困局，不能仅靠呼吁“理性定价”，而需从制度层面推动：

鼓励多元化供应，支持长鑫存储等本土厂商突破高端制程；

建立关键元器件战略储备机制，平抑价格剧烈波动；

加强反垄断审查，警惕寡头以“技术升级”为名实施排他性策略。

否则，每一次技术浪潮，都可能沦为垄断者收割大众的合法工具。而真正的创新，不应建立在普通用户的“成本焦虑”之上。